Turinys
„Samsung“ pradėjo masiškai gaminti vieno terabaito „eUFS 2.1“ saugyklą, šiandien paskelbė bendrovė. Skelbimas pasirodo po gandų, kad bendrovė pristatys „Galaxy S10“ variantą su terabaitu atminties. Didelės talpos „Flash“ atmintinė naudoja tą pačią fizinę erdvę, kaip ir anksčiau paskelbta 512 GB talpos blykstė, rasta aukščiausios klasės „Galaxy Note 9“ versijoje.
Saugojimas yra paremtas pažangia „Samsung“ „V-NAND“ „flash“ atminties technologija, pasižyminčia padidintu tankumu, mažesnėmis energijos sąnaudomis ir paprastai didesniu greičiu. Tam naudojamas vertikalus pavienių NAND elementų sudėjimas, o tai, palyginti su įprastų NAND horizontalių sluoksnių išdėstymu, yra daug efektyvesni.
Ko vartotojai gali tikėtis?
Nors „Samsung“ teigia, kad „eUFS 2.1“ pagrindu sukurta saugykla gali pasiekti nuoseklų skaitymo greitį iki 1000 megabaitų per sekundę, vargu ar paspausite šį numerį realiame pasaulyje. Svarbūs yra atsitiktiniai greičiai, o „Samsung“ paskelbti preliminarūs skaičiai rodo, kad ir šie pagerėjo šiek tiek.
Visų pirma, atsitiktinis rašymo greitis turėtų padėti įgalinti tokias programas kaip nuolatinis aukšto kadro fotografavimas. Iki šiol daugumoje telefonų buvo užfiksuota tik keletas sekundžių didelės raiškos vaizdo įrašymo. „Samsung“ teigia, kad didesnio skaitymo ir rašymo greičio naudojant naują „V-NAND“ pagrįstą 1 terabaito atminties sprendimą pakaks, kad būtų galima užtikrinti nuolatinį ir ilgalaikį vaizdo įrašymą 960 kadrų per sekundę greičiu.
„Flash“ atminties gamyba buvo pradėta „Samsung“ gamykloje Pjeongtaeke, Korėjoje, ir mes tikimės, kad pradėsime girdėti apie telefonų paleidimą, turintį didelės talpos atmintį MWC. Atsižvelgiant į ankstesnes spėliones ir patvirtintą „Galaxy S10“ pasirodymą vasario 20 d., Yra didelė tikimybė, kad atmintį pamatysime to telefono ragelyje.
Ką manote apie terabaitą atminties telefone? Ar turite pakankamai žiniasklaidos priemonių, kad pateisintumėte didelę talpą, ar jau esate priėmę debesų ateitį?
